RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3773
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link