RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3722
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link