RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
77
Wokół strony -381% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
16
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3952
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link