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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 22.3
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    16 left arrow 77
    Por volta de -381% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    21.2 left arrow 2,622.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 16
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 22.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 21.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 3952

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Comparações de RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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