RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2124
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link