RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
76
77
Wokół strony -1% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1621
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link