RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2592
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link