RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2504
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link