RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2865
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link