RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2605
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link