RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3239
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link