RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2078
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link