RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3829
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link