RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2767
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link