RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2136
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link