RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2690
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link