RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
26
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
16
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3906
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link