RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3779
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link