RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3061
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link