RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3142
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link