RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2725
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link