RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
54
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
18
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3564
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link