RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3435
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link