RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3838
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link