RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Teclast TLD416G26A30 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
54
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2719
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link