RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3116
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link