RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
104
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2808
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link