RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
104
Por volta de -167% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2808
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link