RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3409
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link