RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
104
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2126
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link