RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
104
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
8.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2126
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link