RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
104
Autour de -154% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2126
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link