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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
104
En -154% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.9
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
41
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2126
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
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