RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
104
Wokół strony -215% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2175
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link