RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
104
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2943
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link