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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
104
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
45
读取速度,GB/s
3,192.0
16.0
写入速度,GB/s
2,404.5
13.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2943
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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