RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
104
Intorno -131% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
45
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2943
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link