RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
104
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2943
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link