RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
69
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3072
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link