RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2533
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link