RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
68
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2306
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link