RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2283
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link