RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
38
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3855
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link