RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
17
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3714
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link