RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
17
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3714
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link