RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2511
3208
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link