RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3076
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link