RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3076
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link