RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
14,740.4
16.7
写入速度,GB/s
8,883.4
13.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3076
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link