RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3526
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link