RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3217
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link